Avanço histórico na tecnologia de carbeto de silício em wafers de 300 mm
Tempo de Leitura: 4 minutosA produção do primeiro wafer monocristalino de carbeto de silício (SiC) com 300 mm representa um marco decisivo na indústria de semicondutores. Este avanço tecnológico impulsiona a escalabilidade da fabricação, reduz custos e acelera a adoção do SiC em aplicações críticas como eletrônica de potência, inteligência artificial, data centers, realidade aumentada e virtual, além de sistemas industriais e redes elétricas de alta tensão. O artigo explica, de forma didática, o significado técnico desse feito, os desafios do crescimento cristalino do SiC, os impactos na eficiência energética e como a transição para wafers de 12 polegadas posiciona o carbeto de silício como material estratégico para a próxima década de eletrificação, digitalização e computação avançada.