Os datasheets de transistores de potência são documentos essenciais para entender as especificações e características desses componentes fundamentais na eletrônica. Neste guia abrangente, vamos explorar como interpretar as informações contidas nos datasheets de transistores de potência e como realizar substituições de forma eficiente, utilizando uma tabela completa como referência para cada parâmetro importante.
Tabela de Substituição BJT
Antes de mergulharmos na interpretação do datasheet, é crucial observar se o transistor é do tipo PNP ou NPN, pois isso afetará as especificações e parâmetros de substituição. Abaixo está a tabela completa de parâmetros e símbolos encontrados nos datasheets de transistores de potência:
Parâmetro | Símbolo | Descrição | Condição |
---|---|---|---|
Collector-base voltage | \(V_{CBO}\) | Tensão máxima entre coletor e base (circuito aberto) | Maior é melhor |
Collector-emitter voltage | \(V_{CEO}\) | Tensão máxima entre coletor e emissor (circuito aberto) | Maior é melhor |
Emitter-base voltage | \(V_{EBO}\) | Tensão máxima entre emissor e base (circuito aberto) | Maior é melhor |
Collector current (DC) | \(I_C\) | Corrente contínua máxima no coletor | Maior é melhor |
Collector current (pulsed) | \(I_{CP}\) | Corrente pulsada máxima no coletor | Maior é melhor |
Emitter current | \(I_E\) | Corrente contínua máxima no emissor | Maior é melhor |
Base current | \(I_B\) | Corrente contínua máxima na base | Maior é melhor |
Collector power dissipation | \(P_C\) | Potência máxima dissipada no coletor e emissor | Maior é melhor |
Junction temperature | \(T_j\) | Temperatura máxima na junção | Maior é melhor |
Storage temperature | \(T_{stg}\) | Temperatura de armazenamento | Menor é melhor |
Características Elétricas
Além dos parâmetros de máxima classificação, os datasheets também apresentam características elétricas importantes para o transistor de potência:
Parâmetro | Símbolo | Descrição | Condição |
---|---|---|---|
Collector-base breakdown | \(V_{(BR)CBO}\) | Tensão de ruptura entre coletor e base (circuito aberto) | Maior é melhor |
Collector-emitter breakdown | \(V_{(BR)CEO}\) | Tensão de ruptura entre coletor e emissor (circuito aberto) | Maior é melhor |
Emitter-base breakdown | \(V_{(BR)EBO}\) | Tensão de ruptura entre emissor e base (circuito aberto) | Maior é melhor |
Collector-base cut-off current | \(I_{CBO}\) | Corrente de corte no coletor | Menor é melhor |
Collector-emitter cut-off current | \(I_{CEO}\) | Corrente de corte no coletor-emissor | Menor é melhor |
Emitter-base cut-off current | \(I_{EBO}\) | Corrente de corte no emissor | Menor é melhor |
DC current gain | \(h_{FE}\) | Ganho de corrente CC | Maior é melhor |
Collector-emitter saturation voltage | \(V_{CE(sat)}\) | Tensão de saturação coletor-emissor | Menor é melhor |
Base-emitter saturation voltage | \(V_{BE(sat)}\) | Tensão de saturação base-emissor | Menor é melhor |
Collector output capacitance | \(C_{ob}\) | Capacitância entre coletor e base | Menor é melhor |
Emitter input capacitance | \(C_{ib}\) | Capacitância entre emissor e base | Menor é melhor |
Reverse capacitance | \(C_{re}\) | Capacitância reversa | Menor é melhor |
Transition frequency | \(f_T\) | Frequência de transição | Maior é melhor |
Características de Comutação
Por fim, os datasheets de transistores de potência fornecem informações sobre as características de comutação do componente:
Parâmetro | Símbolo | Descrição | Condição |
---|---|---|---|
Delay time | \(t_d\) | Tempo de atraso | Menor é melhor |
Rise time | \(t_r\) | Tempo de subida | Menor é melhor |
Turn-on time | \(t_{on}\) | Tempo de ligação | Menor é melhor |
Storage time | \(t_{stg}\) | Tempo de armazenamento | Menor é melhor |
Fall time | \(t_f\) | Tempo de descida | Menor é melhor |
Turn-off time | \(t_{off}\) | Tempo de desligamento | Menor é melhor |
Como Fazer a Substituição de Transistores de Potência
Para substituir um transistor de potência com sucesso, siga estas etapas:
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Identifique as Especificações Necessárias:
Com base nas tabelas apresentadas acima, determine as especificações de tensão, corrente, potência, ganho e outras características necessárias para a aplicação em questão.
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Consulte o Datasheet:
Verifique o datasheet do transistor original para obter as informações necessárias, incluindo os parâmetros listados acima.
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Escolha um Transistor Substituto:
Com base nas especificações do transistor original, escolha um transistor substituto que atenda ou supere essas especificações.
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Realize a Substituição:
Substitua o transistor seguindo as orientações de montagem e polaridade do datasheet do transistor substituto.
Ao interpretar corretamente as informações dos datasheets de transistores de potência e seguir as etapas acima, você pode realizar substituições de forma eficiente e segura, garantindo o bom funcionamento do circuito eletrônico. Certifique-se sempre de respeitar os limites e condições especificados no datasheet para evitar danos ao componente e ao sistema em geral.
Sobre o Autor
Carlos Delfino
administrator
Um Eterno Aprendiz.
Professor de Introdução a Programação, programação com JavaScript, TypeScript, C/C++ e Python
Professor de Eletrônica Básica
Professor de programação de Microcontroladores.