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Leitura de Datasheets de Transistores de Potência e Substituições

Tempo de Leitura: 3 minutos

Os datasheets de transistores de potência são documentos essenciais para entender as especificações e características desses componentes fundamentais na eletrônica. Neste guia abrangente, vamos explorar como interpretar as informações contidas nos datasheets de transistores de potência e como realizar substituições de forma eficiente, utilizando uma tabela completa como referência para cada parâmetro importante.

Tabela de Substituição BJT

Antes de mergulharmos na interpretação do datasheet, é crucial observar se o transistor é do tipo PNP ou NPN, pois isso afetará as especificações e parâmetros de substituição. Abaixo está a tabela completa de parâmetros e símbolos encontrados nos datasheets de transistores de potência:

Parâmetro Símbolo Descrição Condição
Collector-base voltage \(V_{CBO}\) Tensão máxima entre coletor e base (circuito aberto) Maior é melhor
Collector-emitter voltage \(V_{CEO}\) Tensão máxima entre coletor e emissor (circuito aberto) Maior é melhor
Emitter-base voltage \(V_{EBO}\) Tensão máxima entre emissor e base (circuito aberto) Maior é melhor
Collector current (DC) \(I_C\) Corrente contínua máxima no coletor Maior é melhor
Collector current (pulsed) \(I_{CP}\) Corrente pulsada máxima no coletor Maior é melhor
Emitter current \(I_E\) Corrente contínua máxima no emissor Maior é melhor
Base current \(I_B\) Corrente contínua máxima na base Maior é melhor
Collector power dissipation \(P_C\) Potência máxima dissipada no coletor e emissor Maior é melhor
Junction temperature \(T_j\) Temperatura máxima na junção Maior é melhor
Storage temperature \(T_{stg}\) Temperatura de armazenamento Menor é melhor

Características Elétricas

Além dos parâmetros de máxima classificação, os datasheets também apresentam características elétricas importantes para o transistor de potência:

Parâmetro Símbolo Descrição Condição
Collector-base breakdown \(V_{(BR)CBO}\) Tensão de ruptura entre coletor e base (circuito aberto) Maior é melhor
Collector-emitter breakdown \(V_{(BR)CEO}\) Tensão de ruptura entre coletor e emissor (circuito aberto) Maior é melhor
Emitter-base breakdown \(V_{(BR)EBO}\) Tensão de ruptura entre emissor e base (circuito aberto) Maior é melhor
Collector-base cut-off current \(I_{CBO}\) Corrente de corte no coletor Menor é melhor
Collector-emitter cut-off current \(I_{CEO}\) Corrente de corte no coletor-emissor Menor é melhor
Emitter-base cut-off current \(I_{EBO}\) Corrente de corte no emissor Menor é melhor
DC current gain \(h_{FE}\) Ganho de corrente CC Maior é melhor
Collector-emitter saturation voltage \(V_{CE(sat)}\) Tensão de saturação coletor-emissor Menor é melhor
Base-emitter saturation voltage \(V_{BE(sat)}\) Tensão de saturação base-emissor Menor é melhor
Collector output capacitance \(C_{ob}\) Capacitância entre coletor e base Menor é melhor
Emitter input capacitance \(C_{ib}\) Capacitância entre emissor e base Menor é melhor
Reverse capacitance \(C_{re}\) Capacitância reversa Menor é melhor
Transition frequency \(f_T\) Frequência de transição Maior é melhor

Características de Comutação

Por fim, os datasheets de transistores de potência fornecem informações sobre as características de comutação do componente:

Parâmetro Símbolo Descrição Condição
Delay time \(t_d\) Tempo de atraso Menor é melhor
Rise time \(t_r\) Tempo de subida Menor é melhor
Turn-on time \(t_{on}\) Tempo de ligação Menor é melhor
Storage time \(t_{stg}\) Tempo de armazenamento Menor é melhor
Fall time \(t_f\) Tempo de descida Menor é melhor
Turn-off time \(t_{off}\) Tempo de desligamento Menor é melhor

Como Fazer a Substituição de Transistores de Potência

Para substituir um transistor de potência com sucesso, siga estas etapas:

  1. Identifique as Especificações Necessárias:

    Com base nas tabelas apresentadas acima, determine as especificações de tensão, corrente, potência, ganho e outras características necessárias para a aplicação em questão.

  2. Consulte o Datasheet:

    Verifique o datasheet do transistor original para obter as informações necessárias, incluindo os parâmetros listados acima.

  3. Escolha um Transistor Substituto:

    Com base nas especificações do transistor original, escolha um transistor substituto que atenda ou supere essas especificações.

  4. Realize a Substituição:

    Substitua o transistor seguindo as orientações de montagem e polaridade do datasheet do transistor substituto.

Ao interpretar corretamente as informações dos datasheets de transistores de potência e seguir as etapas acima, você pode realizar substituições de forma eficiente e segura, garantindo o bom funcionamento do circuito eletrônico. Certifique-se sempre de respeitar os limites e condições especificados no datasheet para evitar danos ao componente e ao sistema em geral.

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