A resistência de entrada de um transistor bipolar, em um amplificador, está relacionada à facilidade com que a tensão de entrada (aplicada à junção base-emissor) consegue controlar a corrente de base. Um ponto chave é que, quando a tensão na base muda, há uma mudança proporcional na corrente de base, que é amplificada pela corrente de coletor.
O conceito de \( r_e’ \) refere-se à resistência dinâmica da junção base-emissor, ou seja, à variação da tensão sobre a variação de corrente. Isso é particularmente importante em amplificadores, pois essa resistência influencia diretamente a impedância de entrada e a resposta do circuito.
Segundo Cordell, podemos calcular o \(r_e’\) através da equação:
\[
r_e’ = \frac{kT}{qI_C}
\]
onde:
- \( k \) é a constante de Boltzmann \((1.38 \times 10^{-23} \, \text{J/K} )\),
- \( T \) é a temperatura em Kelvin (geralmente 300K),
- \( q \) é a carga do elétron \((1.6 \times 10^{-19} \, \text{C})\),
- \( I_C \) é a corrente de coletor.
Para um transistor com \( I_C = 1 \, \text{mA} \), temos:
\[
r_e’ = \frac{26 \, \text{mV}}{1 \, \text{mA}} = 26 \, \Omega
\]
Essa resistência, multiplicada pelo ganho de corrente \( \beta \) (ou \( \beta_{AC} \), para pequenas variações), define a resistência de entrada efetiva \( r_{in} \) do transistor. Assim, se \( \beta_{AC} = 100 \), a resistência de entrada seria:
\[
r_{in} = \beta_{AC} \times r_e’ = 100 \times 26 \, \Omega = 2.6 \, \text{k}\Omega
\]
Portanto, a resistência de entrada de um transistor em um amplificador é crucial, pois influencia a sensibilidade do circuito e como ele interage com estágios anteriores.
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