A Evolução dos Diodos Schottky de Carbeto de Silício (SiC)
Tempo de Leitura: 4 minutosOs diodos Schottky de Carbeto de Silício (SiC) têm revolucionado a eletrônica de potência, oferecendo vantagens significativas em relação aos diodos de silício tradicionais, como menores perdas de comutação e maior eficiência. Este artigo explora a evolução das gerações dos diodos SiC Schottky, suas aplicações típicas, sugestões de modelos comuns e uma visão detalhada de […]
Vantagens e Desvantagens dos Dispositivos SiC MOSFET e Si IGBT
Tempo de Leitura: 4 minutosOs dispositivos semicondutores SiC MOSFET (Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semiconductor de Carboneto de Silício) e Si IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada de Silício) são fundamentais em diversas aplicações de controle de motores e conversão de potência. Este texto detalha cada componente, suas construções, vantagens, desvantagens e exemplos, além de uma análise sobre como […]