Vantagens e Desvantagens dos Dispositivos SiC MOSFET e Si IGBT
Tempo de Leitura: 4 minutosOs dispositivos semicondutores SiC MOSFET (Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semiconductor de Carboneto de Silício) e Si IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada de Silício) são fundamentais em diversas aplicações de controle de motores e conversão de potência. Este texto detalha cada componente, suas construções, vantagens, desvantagens e exemplos, além de uma análise sobre como […]